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射频电路设计(侧重于射频,涵盖数码和模拟电路)

关键字:射频电路设计 射频 模拟电路) 
       射频电路设计(侧重于射频,涵盖数码和模拟电路) word版       课程提纲
主讲专家
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李缉熙  
  开课信息:   课程编号:KC19744  
  开课日期(天数) 上课地区 费用  
更多:  
招生对象
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o 具有电路設計背景的设计工程师,测试工程师,系统工程师,经理和技术员将有助于本课程的学习
课程内容
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总学时:9-10天
培训对象
o 具有电路設計背景的设计工程师,测试工程师,系统工程师,经理和技术员将有助于本课程的学习
o 学习本课程的预备条件是了解射頻技术或具有一定实际设计经验的学员.

课程特色
1)本讲座总结了讲演者20多年的工作报告,包括
o 设计技术和技巧的经验,
o 获得的美国专利,
o 实际工程设计的例子,
o 理论演译。

2)本讲座分为三个部分:
第一部分:电路设计的技术和技巧
      在大学和培训课程中,电路设计这门课主要讲解电路的工作原理。在实际的电路设计中,只有熟练地掌握电路设计的关键技术和技巧才可能把电路设计好。讲演者通过自已几十年的工作经验,比较系统且独特地总结出一套电路设计的关键技术和技巧,组成本讲座的第一部分。(如果认为讲解电路工作原理是对电路设计的纵向论述,那么集焦于设计的技术和技巧的就可相对地称为橫向论述. )
      讲演者认为,作为一位合格的电路设计的设计者,不论是工程师,教授, 还是院士,都应当掌握电路设计的基本技术和技巧, 包括:
    o 仿真
    o 阻抗匹配    
* 总结了在窄带情况下的阻抗匹配基本技术并把它的设计步骤公式化;
* 研发出比较独特的在宽带情况下的阻抗匹配基本技术。
    o 接地    
* 对接地做出比较严谨的定义;
* 总结了主要的接地的基本技术;
* 建立比较完整的接地规则,包括单直流电源和多直流电源系统,或者, 小系统和大系统。
o  集成电路    
* 指出集成电路是电路设计的终极目标;
* 描述射频集成电路的特殊性;
* 当前集成电路设计的瓶颈;
* 大力呼吁采用一次遛片成功的集成电路设计方案。
    o 测试  
* 正确的功率,以及射频电路主要参数的测试必需在阻抗匹配情况下进行!
* 在电路的任何一个节点,阻抗,电压,功率都是矢量,不是标量!
* 重点讨论了网络分析仪;
* 介绍了数码电路和射频电路测试的主要区别
    o画制版图  
* 重点讨论了连接线, 尽量大大短于1/4波长, 平滑, 尽量不相互平行;
* 选取PCB的基本依据;
* 提供了测试版设计的经验数据;
* 连线和邻近金属之间的空间距离要遵守3 : 1的规则;
* 在集成电路设计中,管子不可以排成长龙状,电阻要用大数值的并联成小数值的。
    o  6 Sigma 设计

第二部分:   电路的系统参数和系统设计
     o 系统分析和设计  
* 以射频系统为例子,介绍了明了系统分析和设计的基本方法;  
     o “零中频”系统  
* 研发“零中频”系统的动机;
* “零中频”系统的特点;
* “零中频”系统的优点和缺点;
* 比较详细地讨论差分对和巴伦;
* 介绍了消除直流偏移的一些方案。
o  差分对  
* 提出了用单端电路的设计方法来代替差分对线路的设计, 从而大大简化了设计并缩短了电路仿真的时间。
* “双线巴伦设计“的美国专利。

第三部分: 个别方块电路的设计
       这一部份和现有电路设计书中的论述相似, 其內容是讨论一个个方块电路设计, 譬如, 低噪声放大器, 混频器, 功率放大器, 壓控振蕩器, 頻率综合器。相对于本讲座的第一部分,可以把它称为纵向的论述。其中的大多数内容来自本讲座讲演者的设计工作总结。
   o  低噪声放大器      
* 研发了最佳的低噪声放大器的设计方法(以前不曾经发表过)。
   o  混频器  
* 回顾了混频器设计的历史:
* 最佳的无源和有源混频器器的设计;
* 推荐一种极佳的混频器集成电路设计。
   o  可调谐濾波器  
* 这是讲演者的一项美国专利。它解决了在可调谐滤波器调谐过程中带宽保持不变的历史难题;
* 二次耦合大大增加了的系统的镜像抑制度!
   o  VCO  
• 介绍VCO 的 各种类型, 包括分立元件的和集成电路构建的;
• 讨论降低相位噪声的主要方法;
• 指出VCO 的输出端不可以直接阻抗匹配到负载。
   o  功率放大器  
* 在Motorola,第一次集成电路问世;
* 为了缩小PA 的尺寸,发明了一些特殊的Balun;
* 获得了双微带线Balun 的美国专利;
* 发展了环状的Balun, 虽然没能拿到专利,它的性能实际上比双微带线Balun还好。

学习目标  
   在本讲座结束之后, 学员可以比较深入地理解如下设计课题和掌握比较实用的
     设计技巧
o 射頻和数码电路设计的主要差別和共同点;
o 电磁相容性的关键课题;
o 阻抗匹配技术;
o 接地的涵义,规则和技巧;
o 绘制版图的基本原则;
o 电路测试的基本知识
o 6 电路设计在大批量生产中的重要性;
o 集成电路和射频集成电路设计的进展,成就,和难点;
o 电路系统分析(以射频系统为例)
o 在“零中频”系统中的差分对电路;
o 最佳的低噪声放大器的设计;
o 混频器(特别是集成电路)的设计;
o 可调谐滤波器的设计;
o VCO 的设计;
o 功率放大器和巴伦的设计。







课程内容   (随后可能略加修改)

第一部分   电路设计技术技巧



第一讲 电路设计的基本技术 1 小时
0.17 天
1.1 射频和数码电路设计的主要差别
1.2 电路设计的三种描述方式
1.3 七种基本技术
1.4 电路设计发展史
1.5 集成电路是电路设计的终极目标


第二讲    反射和自干扰 2小时
0.33 天
2.1 引言
2.2 电压在零件之间的传送
2.1.1 电压在零件之间传送的一般表达式
2.1.2 在数字电路方块中的附加Jitter 或畸变。
2.3 功率在零件之间的传送
2.2.1 功率在零件之间传送的一般表达式
2.2.2 功率的不稳定性
2.2.3 附加的功率损失
2.2.4 附加畸变
2.2.5 附加干扰
2.4 阻抗共轭匹配
2.3.1 最大的功率传输
2.3.2 无相移的功率传输
2.3.3 阻抗匹配网络
2.5 阻抗匹配的附加效应
2.4.1 借助于阻抗匹配来抬高电压
2.4.2 功率测量
2.4.3 烧毁晶体管
附录
2A.1 电压驻波比VSWR 和其他反射及传输系数
2A.2 功率 (dBm), 电压 (V), 和功率(Watt)之间的关系




第三讲    在窄带情况下的阻抗匹配 4小时
0.67 天

3.1 引言
3.2 借助于返回损失的调整进行阻抗匹配
3.2.1 在Smith图上的返回损失圆
3.2.2 返回损失和阻抗匹配的关系
3.2.3 阻抗匹配网络的建造
3.3 一个零件的阻抗匹配网络
3.3.2 在阻抗匹配网络串接一个零件
3.3.3 在阻抗匹配网络并接一个零件
3.4 两个零件的阻抗匹配网络
3.4.1 在Smith图上的区域划分
3.4.2 零件的数值
3.4.3 线路的选择
3.5 三个零件的阻抗匹配网络
3.5.1 “Π” and “T” 型的匹配网络
3.5.2 推荐的匹配网络线路
3.6 当 ZS 或 ZL 不是50 Ω的阻抗匹配
3.7 阻抗匹配网络的零件
附录
3A.1 Smith 图的基础知识
3A.2 两个零件阻抗匹配网络的公式
3A.3 两个零件阻抗匹配网络的线路限制
3A.4 三个零件阻抗匹配网络的线路限制
3A.5 在 “Π” 和“T” 型的匹配网络之间的转换
3A.6 可能的 “Π” 和 “T” 型的匹配网络


第四讲    在宽带情况下的阻抗匹配 3小时
0.50 天
4.1 宽窄带返回损失在Smith图上的表现。
4.2 接上每臂或每分支含有一个零件之后阻抗的变化
4.2.1 在阻抗匹配网络串接一个电容
4.2.2 在阻抗匹配网络串接一个电感
4.2.3 在阻抗匹配网络并接一个电容
4.2.4 在阻抗匹配网络串接一个电感
4.3 接上每臂或每分支含有两个零件之后阻抗的变化
4.3.1 两个零件串接在一起形成一臂
4.3.2 两个零件并接在一起形成一分支
4.4 超宽带系统IQ 调制器 设计的阻抗匹配
4.4.1 在IQ 调制器中的Gilbert Cell 。
4.4.2 Gilbert Cell的阻抗
4.4.3 不考量带宽在LO, RF and IF 终端的阻抗匹配
4.4.4 超宽带系统对带宽的要求。
4.4.5 扩展带宽的基本思路。
4.4.6 第一个例子: 在超宽带系统第一组IQ 调制器设计中的阻抗匹配
4.4.7 第二个例子: 在超宽带系统第三和第六组IQ 调制器设计中的阻抗匹配
4.5 宽带阻抗匹配网络的讨论
4.5.1 MOSFET 管子栅极的阻抗匹配
4.5.2 MOSFET 管子漏极的阻抗匹配


第五讲    管子的原始阻抗和增益 2小时
0.33 天
5.1 引言
5.2 Miller 效应
5.3 双极管子的小讯号模型
5.4 共发射极结构(CE)的双极管
5.4.1 共发射极结构(CE)双极管的开路电压增益Av,CE
5.4.2 共发射极结构(CE)双极管的短路电流增益βCE 和频率响应
5.4.3 共发射极结构(CE)双极管的原始输入和输出阻抗
5.4.4 共发射极结构(CE)双极管的Miller 效应
5.4.5 发射极退化结构
5.5 共基极结构(CB)的双极管
5.5.1. 共基极结构(CB)双极管的开路电压增益Av,CB  
5.5.2. 共基极结构(CB)双极管的短路电流增益βCB  和频率响应
5.5.3. 共基极结构(CB)双极管的输入和输出阻抗
5.6 共发射极结构(CC)的双极管
5.6.1 共发射极结构(CC)双极管的开路电压增益Av,CC  
5.6.2 共发射极结构(CC)双极管的短路电流增益βCC  和频率响应
5.6.3 共发射极结构(CC)双极管的输入和输出阻抗
5.7 MOSFET 管子的小讯号模型
5.8 双极管和MOSFET 管之间的类似性
5.8.1 CS 管子的简化模型
5.8.2 CG管子的简化模型
5.8.3 CD 管子的简化模型
5.9 共源极结构(CS)的MOSFET 管
5.9.1 共源极结构(CS)MOSFET管的开路电压增益Av,CS
5.9.2 共源极结构(CS)MOSFET管的短路电流增益βCS  和频率响应
5.9.3 共源极结构(CS)MOSFET管的输入和输出阻抗
5.10 共栅极结构(CG)的MOSFET 管
5.10.1 共栅极结构(CG)MOSFET管的开路电压增益Av,CG
5.10.2 共栅极结构(CG)MOSFET管的短路电流增益βCG  和频率响应
5.10.3 共栅极结构(CG)MOSFET管的输入和输出阻抗
5.11 共漏极结构(CD) 的MOSFET 管
5.11.1 共漏极结构(CD)MOSFET管的开路电压增益Av,CD  
5.11.2 共漏极结构(CD)MOSFET管的短路电流增益βCD和频率响应
5.11.3 共漏极结构(CD)MOSFET管的输入和输出阻抗
5.12 双极管和MOSFET 管各种结构之间的比较


第六讲    阻抗测量 1(2)小时
0.17 (0.33) 天
6.1 引言
6.2 标量和矢量的电压测量
6.2.1 示波器的电压测量
6.2.2 矢量电压计的电压测量
6.3 用网络分析仪直接测量阻抗
6.3.1 阻抗测量的方向性
6.3.2 S 参数测量的好处
6.3.3 S 参数阻抗测量的理论背景
6.3.4 用矢量电压计测量S 参数
6.3.5 网络分析仪的校准
6.4 借助于网络分析仪的另一种阻抗测量
6.4.1 Smith 图的精度
6.4.2 高低阻抗的测量
6.5 差分对的阻抗测量
6.5.1 有源差分对
6.5.2 无源差分对
附录
6A.1 阻抗串并联接之间的关系




第七讲:接地的问题 4小时
0.67 天

7.1 接地的涵义
7.2 在电路图中可能隐藏的接地问题
7.3 不良的或不恰当的接地例子
7.3.1 不恰当的旁路电容选择
7.3.2 不良的接地
7.3.3 不良的连接
7.4 金属线或金属表面的不等位性
7.4.1 金属线上的不等位性
7.4.2 在微带线上的不等位性
7.4.3 在射频电缆地表面上的不等位性
7.4.4 在PCB地表面上的不等位性
7.4.5 试验性的等位性测试


第八讲:接地的解决方案 2(3)小时
0.33 (0.50) 天
8.1 良好接地的涵义
8.2 “零“电容
8.2.1 什么是“零” 电容?
8.2.2 “零” 电容的选择
8.2.3 “零” 电容的带宽
8.2.4 多个“零” 电容的联合效应
8.2.5 贴片电感是好助手
8.2.6 在RFIC 设计中的“零”电容
8.3 ¼ 波长微带线
8.3.1 连接线是射频电路中的一个零件
8.3.2 为什么¼ 波长微带线如此重要?
8.3.3 开路¼ 波长微带线的神奇
8.3.4 特定特征阻抗的宽度测试
8.3.5 ¼ 波长测试
8.4 强迫接地
8.5 前向和返回电流耦合
8.5.1   “无心的假定” 和 “伟大的疏忽”
8.5.2   减少在 PCB板上的电流耦合
8.5.3   减少在 集成电路芯片上的电流耦合
8.5.4   减少在 射频方块之间的电流耦合
8.5.5   一种似是而非的系统组装

8.6 接地规则

8.7 多金属层的PCB 板和集成电路芯片

附录
8A.1 借助于S11 测试获得贴片电阻的等效电路


第九讲:画制版图 2小时
0.33 天
9.1 画制版图的重要性
9.2 画制PCB的初步考量
9.2.1 类型
9.2.2 主要电磁参数
9.2.3 尺寸
9.2.4 金属层数目
9.2.5 测试PCB版的经验规则
9.2.6 零件之间的间隔
9.2.7 对称性
9.2.8 单过孔模型
9.2.9 过孔的复杂性
9.3 画制IC版图的特殊考量
9.3.1 保护圈
9.3.2 管子的形状
9.3.3 过孔模型
9.3.4 电阻
9.3.5 电感
9.3.6 电容
9.4 连接线
9.4.1 两种连接情况
9.4.2 连接线类型
9.5 自由空间


第十讲:产品设计的可制造性 2小时
0.33 天
10.1 引言
10.2 产品可制造性的涵义
10.3 6σ 设计的涵义
10.3..1 误差分析中随机过程的基本知识
10.3..2 6σ  和产品合格率
10.3..3 一个电路方块的 6σ 设计
10.4 迈向 6σ 设计
10.4.1 改变零件的σ 数值
10.4.2 用多个零件替代但零件
10.5 Monte Carlo 分析
10.5.1 一个带通濾波器
10.5.2 Monte Carlo 分析的仿真
10.5.3 零件对参数性能的灵敏度
附录
10A.1 生产线上的统计学
10A.2 Cp, Cpk  指数和其他参数应用于6σ 设计
10A.3 正则分布表


第十一讲:集成电路 4(3)小时
0.67 (0.50)天
11.1 干扰和隔离度
11.1.1 电路中存在着干扰
11.1.2 隔离度的定义和测量
11.1.3 射频模快的主要干扰途径
11.1.4 集成电路芯片的主要干扰途径
11.2 用金属盒屏蔽射频模块
11.3 开发集成电路的强烈欲望
11.4 沿集成电路衬垫而来的干扰
11.4.1. 实验
11.4.2. 挖沟
11.4.3. 保护圈
11.5 解决来自空中的干扰
11.6 射频模块和射频集成电路的共同接地规则
11.6.1. 电路分支和方块并联接地
11.6.2. 电路分支和方块并联直流供电
11.7 集成电路的瓶颈
11.7.1 低Q 值电感以及可能的解决办法
11.7.2 “零” 电容
11.7.3 焊接线
附录
11A.1 “溜片”多少次?
11A.2 ¼ 波长线的计算
11A.3 电子工业的进展

第一部分共27(28)小时
4.5 (4.67)天





第二部分   系统分析(以射频系统为例)

第十二讲:主要参数和系统分析 4小时
0.67 天
12.1 引言
12.2 功率增益
12.2.1 反射功率增益的基本概念
12.2.2 传输功率增益
12.2.3 在单向传输情况下S21 和各种功率增益
12.2.4 功率增益和 阻抗匹配
12.2.5 功率增益和电压增益
12.2.6 增益的级联公式
12.3 噪音
12.3.1 噪音图的含义
12.3.2 有噪音两终端方块的噪音图
12.3.3 噪音图测试注意事项
12.3.4 用实验方法测得噪音参数
12.3.5 噪音图的级联公式
12.3.6 接收机灵敏度
12.4 非线性
12.4.1 晶体管的非线性
12.4.2 交调点(IP) 和交调抑制(IMR)
12.4.3 交调点的级联公式
12.4.4 非线性和畸变
12.5 其他参数
12.5.1 直流供电和电流
12.5.2 零件总数
12.6 射频系统分析的例子
附录
12A.1 用信号流图定义两端方块的功率
12A.2 主要噪声源


第十三讲:”零中频”系统的特殊性 4(2)小时
0.67 (0.33) 天
13.1 为什么要差分对?
13.1.1 单端与差分对之间表面上的差别
13.1.2 单端的非线性
13.1.3 差分对的非线性
13.1.4 在直接变频或”零中频”通讯系统中差分结构的重要性
13.1.5 为什么要直接变频或”零中频”?
13.2 电容能阻隔直流偏移吗?
13.2.1 三种RLC的时间常数
13.2.2 PA的直流偏移
13.3 消除直流偏移
13.3.1 “斬切” 混频器
13.3.2 用校凖的办法来消除直流偏移


第十四讲:   差分对 3(2) hours
0.50(0.33) days
14.1 差分对的基本知识
14.1.1 差分对的线路和定义
14.1.2 双极管差分对的转换特性
14.1.3 双极管差分对的小讯号近似
14.1.4 MOSFET 管差分对的转换特性
14.1.5 MOSFET 管差分对的小讯号近似
14.1.6 如果输入讯号差分不良会怎样?
14.2 共模抑制比 (CMRR)
14.2.1 共模抑制比的表达式
14.2.2 单端的共模抑制比
14.2.3 差分对的共模抑制比
14.2.4 提高共模抑制比
14.3 差分对的噪声和干扰
14.3.1 增加电压摆幅
14.3.2 消除干扰
14.3.3 噪声的增强


第十五讲:   巴伦 4 hours
0.67 days
15.1 引言
15.2 变压器巴伦
15.2.1 在分立元件射频电路设计中的变压器巴伦
15.2.2 在集成射频电路设计中的变压器巴伦
15.2.3 用在仿真中的理想变压器巴伦
15.2.4 在理想变压器巴伦中零件在单端与差分对之间的等效性
15.2.5 借助于理想变压器巴伦来对差分对进行阻抗匹配
15.3 LC 巴伦
15.3.1 简单的 LC 巴伦设计
15.3.2 简单 LC 巴伦的性能
15.3.3 实际的LC 巴伦
15.4 微带线巴伦
15.4.1 环状 巴伦
15.4.2 分裂的环状巴伦
15.5 混合型巴伦
15.5.1 用微带线和贴片电容建造的巴伦
15.5.2 用贴片电容和贴片电感建造的巴伦
附录
15A.1 变压器巴伦匝数比和阻抗之间的关系
15A.2 分析简单的LC 巴伦
15A.3 在超宽带(UWB)系统的 频带第一和第三组之中简单的LC 巴伦的 L 和C的数值
15A.4 在LC巴伦中零件在单端与差分对之间的等效性
15A.5 某些有用的耦合器
15A.6 电缆 巴伦

第十六讲:系统芯片和未来 2小时
0.33 天
16.1 系统芯片的前景
16.2.1 系统芯片的基本概念
16.2.2 达到系统芯片目标的 瓶颈
16.2 下一个是什么?
附录:射频封装技术
16A.1 封装类型
16A.2 退化
16A.3 SOP 型引脚封装
16A.4 引脚架的电感
16A.5 焊接线的电感
16A.6 引脚架设计的改良
16A.7 Flip chip 技术
16A.8 LTCC (低温 烘烤陶瓷) 封装技术
16A.9 SIP (系统封装) 解决方案

Subtotal for part 2:  17(14) hours
2.83(2.33) days



第三部分   个别方块设计

第十七讲:低噪声放大器(LNA) 4小时
0.67 天
17.1 引言
17.2 单端单管LNA
17.2.1 晶体管的大小尺寸
17.2.2 阻抗匹配前晶体管的设定和测试
17.2.3 一个良好LNA 设计的挑战
17.2.4 输入和输出阻抗匹配
17.2.5 增益圆和噪声圆
17.2.6 稳定性
17.2.7 非线性
17.2.8 设计程序
17.2.9 其他例子
17.3 单端级联LNA
17.3.1 双极管 CE-CB 串级电压放大器
17.3.2 MOSFET CS-CG串级电压放大器
17.3.3 为什么要串级?
17.3.4 举例
17.4 带有自动增益控制(AGC) 的LNA
17.4.1 AGC 运作
17.4.2 传统的带有  AGC的LNA
17.4.3 增加AGC 动态范围
17.4.4 举例


第十八讲:混频器 2小时
0.33 天
18.1 引言
18.2 无源混频器
18.2.1 最简单的无源混频器
18.2.2 双平衡四象限二极管混频器
18.2.3 双平衡电阻式混频器
18.3 有源混频器
18.3.1 单端单晶体管有源混频器
18.3.2 Gilbert孢体
18.3.3 带有双极管 Gilbert 孢体的有源混频器
18.3.4 带有 MOSFET Gilbert 孢体的有源混频器
18.4 设计技巧
18.4.1 阻抗测量和匹配
18.4.2 电流分流
18.4.3 多超越正切双曲技术
18.4.4 输入类型
附录
18A.1 三角函数和超越正切双曲涵数
18A.2 反超越正切双曲涵数方块的建立


第十九讲:可调谐濾波器 1小时
0.17 天
19.1 在通信系统中的可调谐濾波器
19.1.1 希望可调谐濾波器的带宽不变
19.1.2 带宽的变化
19.2 两个Tank 回路之间的耦合
19.2.1 不恰当的耦合
19.2.2 合理的耦合
19.3 线路的描述
19.4 二次耦合的效果
19.5 性能


第二十讲:电压控制振荡器 (VCO) 2小时
0.33 天
20.1 三点式的振荡器
20.1.1 Hartley 振荡器
20.1.2 Colpitts振荡器
20.1.3 Clapp  振荡器
20.2 其他单端振荡器
20.2.1 相移振荡器
20.2.2 TITO (Tuned Input and Tuned Output) 振荡器
20.2.3 共振式振荡器
20.2.4 晶体振荡器
20.3 锁相环和压控振荡器(PLL and VCO)
20.3.1 压控振荡器的含义
20.3.2 锁相环的转移函数
20.3.3 锁相环输入的白噪声
20.3.4 压控振荡器的相位噪声
20.4 单端压控振荡器的设计例子
20.4.1 以Clapp 结构的单端压控振荡器
20.4.2 变容电容器
20.4.3 印刷式电感器
20.4.4 仿真模拟
20.4.5 负载负荷试验和压控振荡缓冲器
20.5 差分和四象限压控振荡器


第二十一讲:功率放大器 (PA) 3小时
0.50 天
21.1 功率放大器的划分
21.1.1 A 级功率放大器
21.1.2 B 级功率放大器
21.1.3 C 级功率放大器
21.1.4 D 级功率放大器
21.1.5 E 级功率放大器
21.1.6 F 级功率放大器
21.1.7 S 级功率放大器
21.2 单端功率放大器的设计
21.2.1 在工作台上进行调谐
21.2.2 仿真模拟  
21.3 单端功率集成电路的设计
21.4 推挽式的功率集成电路的设计
21.4.1 主要指标
21.4.2 方块图
21.4.3 阻抗匹配
21.4.4 降低方块的尺寸
21.4.5 双微带线巴伦
21.4.6 麻花式的 射频变压器巴伦
21.5 有温度补赏的功率放大器
21.6 有输出功率控制的功率放大器
21.7 线性功率放大器
第三部分共12小时
2 天

                                          总共 56(54)小时
                                                9.33 (9.0)天
讲师介绍
---------------------------------
李缉熙,男
毕业于中国上海复旦大学物理系。
1958至1973年间,在北京中国科学院地球物理所和中国科技大学工作。
1977 至1980年间,在美国宾州州立大学攻读电机博士学位。
1979至1984, 1987-2001年間,服務於美國Motorola
• 总共在无线通信系统设计部門工作達20年之久,
• 大多数年份从事射频和射频集成电路的设计,
• 发展了新型的可調式泸波器,优质低噪声放大器,混频器,功率放大器等,
• 從声频 (Acoustic)到射频(RF),從软体到硬体设计.

1985至1986年间,美国德州达拉斯的德州仪器(Texas Instruments)直播卫星系统(Direct Broadcast Satellite, DBS)的技术负责人。

1986至1987年间,在新泽西州普林斯頓的RCA从事通讯卫星(Communication Satellite) 工作,参加过4个通讯卫星设计.

2001至2004年间, 在上海华邦集成电路公司当技术顾问。从事WLAN 通讯系统的设计

从1993 年至现在,在中国,香港,台湾和新加坡总共举办了100多次有关电路设计的讲座.

拥有3项美国专利, 並有數十項专题研究报告.

是“高空大气物理学(Upper Atmosphere)”一书于1963年在北京出版的著者之一.

小本书, “Key Issues in RF/RFIC Circuit Design” 于2005年由北京高等教育出版社出版. 共395 pages.
大本书, “RF Circuit Design” 于2008年由美国Johnson Wiley & Sons出版社出版. 共827 pages(有中译本)。第二版 于2012年由美国Johnson Wiley & Sons出版社出版. 共840 pages.
 
开课时间:2018-09-15 温馨提示:本课程可邀请老师到企业内部培训!
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课程特色
1)本讲座总结了讲演者20多年的工作报告,包括
o 设计技术和技巧的经验,
o 获得的美国专利,
o 实际工程设计的例子,
o 理论演译。

2)本讲座分为三个部分:
第一部分:电路设计的技术和技巧
      在大学和培训课程中,电路设计这门课主要讲解电路的工作原理。在实际的电路设计中,只有熟练地掌握电路设计的关键技术和技巧才可能把电路设计好。讲演者通过自已几十年的工作经验,比较系统且独特地总结出一套电路设计的关键技术和技巧,组成本讲座的第一部分。(如果认为讲解电路工作原理是对电路设计的纵向论述,那么集焦于设计的技术和技巧的就可相对地称为橫向论述. )
      讲演者认为,作为一位合格的电路设计的设计者,不论是工程师,教授, 还是院士,都应当掌握电路设计的基本技术和技巧, 包括:
    o 仿真
    o 阻抗匹配    
* 总结了
*人,报名参加2018-09-15开始,在广东举办的《射频电路设计(侧重于射频,涵盖数码和模拟电路)》(课程编号:19744)。
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